Главная » 2016 » Октябрь » 26 » Внедрение ионов примесей в кристалл
07:40
Внедрение ионов примесей в кристалл
Во многих случаях, особенно при внедрении ионов примесей в кристалл, находящийся при повышенной температуре или после дополнительного отжига, приводящего к исчезновению большой части радиационных дефектов, результаты ионно-лучевого легирования аналогичны результатам внедрения примесей термодиффузией, если не считать особенностей в пространственном распределении, рассмотренных выше, а также возможностей создания кристаллов, пересыщенных активными примесями путем импульсного светового иотжига. Известно, что литий легко вводить в Si диффузией, литий в междоузлиях представляет собой мелкий донорный центр. В то же время ни диффузия, ни вплавление натрия в Si не приводят к возникновению донорных центров. Ионно-лучевое легирование кремния натрием вызывает инверсию (изменение типа проводимости из дырочной в электронную), причем концентрацию активных доноров у поверхности кремния удается доводить до 1020 см-3.
Вас интересуют электромонтажные работы на объектах от 100 кВт в Москве и области? Тогда найти всю необходимую информацию про такие работы Вы можете с помощью специального сайта в интернете.
Просмотров: 207 | Добавил: DN | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
avatar